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2013年公用设备电子技术基础习题答案-4

2013-01-04  点击: 次  建培教育

字号:T|T

6测得NPN三极管上各电极对地电位分别为VE2.1VVB2.8VVC4.4V说明此三极管处(  A  )。

A、放大区;  

B、饱和区;  

C、截止区;  

D反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(  C  )。

A、较大;   

B、较小;   

C、为零;   

D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(  C  )。

A、矩形方波;   

B、等腰三角波;  

C、正弦半波;    

D、仍为正弦波。

9、三极管超过(  C  )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM

B、集—射极间反向击穿电压UBRCEO

 

C、集电极最大允许耗散功率PCM;   

D、管子的电流放大倍数

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(  C  )

A、发射结正偏、集电结正偏;      

B、发射结反偏、集电结反偏;

C、发射结正偏、集电结反偏;      

D、发射结反偏、集电结正偏。

 

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